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高周波集積デバイス研究室




ここでは研究室のニュースを投稿しています。



2024年

9月
スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)で招待講演を行います。(10/3, 2024)
金城 良守,"4G/5G向け高周波フロントエンドSOI CMOS集積回路の技術と設計",スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)第179回定例研究会,2024年10月3日.【招待講演】

7月
2024年度卒研プレ中間発表会を吉村研と合同で実施。準備に発表、お疲れ様でした。打ち上げは安くておいしくて最高でした。

6月
180nmの4回目のテープアウトを完了しました。オンチップ広帯域カプラー、無線電力伝送用CMOS整流回路を載せました。

2月
180nmの3回目のテープアウトを完了しました。オンチップ広帯域カプラー、無線電力伝送用CMOS整流回路を載せました。




2023年

10月
180nmの2回目のテープアウトを完了しました。オンチップ広帯域カプラー、LNAのTEGを載せました。

9月
180nmの初回のテープアウトを完了しました。オンチップ広帯域カプラー、シリアル通信インターフェース、レベルシフタ、リングオシレータ、チャージポンプ、RFスイッチ、可変抵抗、可変容量、RF ESD保護素子など基本IPを載せました。