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高周波集積デバイス研究室




ここでは研究室のニュースを投稿しています。



2025年

3月
電子情報通信学会 総合大会で2件の論文を発表しました。
大室 樹生、金城 良守 "移相器による180nm CMOS低損失チューナブルカプラの開発",2025年 電子情報通信学会 総合大会,2025年3月26日.
大槻 祥太郎、吉村 勉、金城 良守 "PLL相互干渉のジッタ検出と低減自動化の検討",2025年 電子情報通信学会 総合大会,2025年3月28日.



電子情報通信学会 2025年度 第7回無線電力伝送研究会(WPT)で1件の論文を発表しました。
金城 良守,濱田 昌鴻 "倍電圧発生のためのCMOS整流回路の設計検討と評価結果",2025年度 第7回無線電力伝送研究会(WPT),2025年3月10日.



2024年

12月
65nmの1回目のテープアウトを完了しました。

9月
スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)で招待講演を行います。
金城 良守,"4G/5G向け高周波フロントエンドSOI CMOS集積回路の技術と設計",スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)第179回定例研究会,2024年10月3日.【招待講演】

7月
2024年度卒研プレ中間発表会を吉村研と合同で実施。準備に発表、お疲れ様でした。打ち上げは安くておいしくて最高でした。

6月
180nmの4回目のテープアウトを完了しました。オンチップ広帯域カプラー、無線電力伝送用CMOS整流回路を載せました。

2月
180nmの3回目のテープアウトを完了しました。オンチップ広帯域カプラー、無線電力伝送用CMOS整流回路を載せました。




2023年

10月
180nmの2回目のテープアウトを完了しました。オンチップ広帯域カプラー、LNAのTEGを載せました。

9月
180nmの初回のテープアウトを完了しました。オンチップ広帯域カプラー、シリアル通信インターフェース、レベルシフタ、リングオシレータ、チャージポンプ、RFスイッチ、可変抵抗、可変容量、RF ESD保護素子など基本IPを載せました。