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FY2012

  1. 「高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり」, 佐々，矢野，前元，小池，尾形，電子情報通信学会誌 95-4, pp. 289-293, (2012).
  2. "Zinc oxide-based biosensors", M. Yano, K. Koike, K. Ogata, T. Nogami, S. Tanabe, S. Sasa, Physica Status Solidi c 9-7, pp.1570-1572, (2012).
  3. "Radiation hardness of single-crystalline zinc oxide films", K. Koike, T. Aoki, R. Fujimoto, S. Sasa, M. Yano, S. Gonda, R. Ishigami, K. Kume, Physica Status Solidi c 9-7, pp.1577-1579, (2012).
  4. "8MeV proton irradiation damage and its recovery by annealing on single-crystalline zinc oxide crystals", K. Koike, R. Fujimoto, R. Wada, S. Sasa, M. Yano, S. Gonda, R. Ishigami, K. Kume, 2012 MRS Sympsium Proceedings 1432, g10-02(12pp), (2012).
  5. "Rectification effects in ZnO-based transparent self-switching nano-diodes", Y. Kimura, T. Kiso, T. Higaki, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue, 2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai, pp.114-115, (2012).
  6. "A reflection layer for enhanced THz radiation from InAs thin films", K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, K. Takeya, and M. Tonouchi, Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai, art. no. 6218609, 116-117 (2012).
  7. "Effects of post annealing on IZO thin-film transistor characteristics", R. Morita, T. Maemoto, and S. Sasa, 2012 Int. Mtg. for Future of Electron Devices, Kansai, pp.118-119, (2012).
  8. 「室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製」， 木村祐太，日垣友宏，前元利彦，佐々誠彦，材料 61-9, pp.760-765, (2012).