去る2015年10月25日(日)〜30日(金)に島根県立産業交流会館（くにびきメッセ）(島根県松江市学園南1-2-1)で開催された日本学術振興会マイクロビームアナリシス第141委員会主催・日本表面科学会共催の国際会議ALC’15：第10回新材料とデバイスのための原子レベル特性解析国際シンポジウム (10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’15)にて、電子情報通信工学科の小寺研究室に所属する大学院2年生の半田勇希君が学生賞(Student Award)を受賞しました。世界の有名大学から参加した数10名の多数の学生発表者の中から選出された8名に入り、受賞研究の口頭発表とポスター発表を行いました。
発表題目は「Surface potential distribution of insulating film on a conductive substrate irradiated by electron beam with an application of the bias-voltage」で、日本語訳は「バイアス電圧印加下で電子ビーム照射を受けた導電基板上絶縁体薄膜表面電位分布」です。
電子顕微鏡の解像度を低下させる原因の一つである「フォギング電子」の空間・エネルギー分布を初めて調べることに成功し、高く評価されました。
発表題目は「Surface potential distribution of insulating film on a conductive substrate irradiated by electron beam with an application of the bias-voltage」で、日本語訳は「バイアス電圧印加下で電子ビーム照射を受けた導電基板上絶縁体薄膜表面電位分布」です。
電子顕微鏡の解像度を低下させる原因の一つである「フォギング電子」の空間・エネルギー分布を初めて調べることに成功し、高く評価されました。
