工学部 電気電子システム工学科 次世代デバイス・プロセス研究室
小山 政俊Koyama Masatoshi
准教授
半導体集積回路やパワー半導体は、長年シリコンを母材として発展してきましたが、近年はより高性能・高機能化のために新材料が導入されてきました。本研究室では、新しい材料・プロセスの観点から半導体工学に取り組み、よりよい社会を実現する次世代デバイスの開発を行っています。具体的には、酸化物材料を用いた半導体デバイスの高性能化や、パワー半導体として注目される窒化物半導体材料と酸化物材料のハイブ リッド構造を用いた新規デバイスの開発を行っています。
Theme 主な研究テーマ
- InAs系ヘテロ構造を用いた室温動作テラヘルツ波検出器の開発
- 酸化物半導体表面のプラズマ処理に関する研究
- 酸化物/窒化物半導体複合構造を用いた新規デバイスの開発
Profile 教員プロフィール
小山 政俊Koyama Masatoshi准教授
専門分野
- 半導体工学
- 半導体プロセス工学
- 窒化物半導体デバイス（GaN-HEMT）
- 酸化物半導体
- 化合物半導体プロセス
